電気自動車（EV）、ハイブリッド電気自動車（HEV）、およびプラグインハイブリッド電気自動車（PHEV）アプリケーション向けのPhotoMOS自動車用リレー
Bright TOWARDは、重要な環境下で安定した信頼性の高いスイッチング動作を備えた車載グレードのPhotoMOSリレーを提供します。 オプトD-MOSFET技術（PhotoDMOS）は、高負荷での高速スイッチングを実現します。 EV、HEV、PHEVの用途に適しています。 また、バッテリー管理システム、モーター制御、電力変換、充電/放電などのインフラストラクチャでも使用されます。
TOWARD PhotoDMOSリレーは、車載グレードの半導体としてAEC-Q101として認定されています。 -40〜 + 125℃のより広い範囲の動作温度。
AEC-Q101
Automotive Electronics Council（AEC）は当初、共通の部品認定および品質システム基準を確立する目的で、Chrysler、Ford、およびGMによって設立されました。 AECは当初から、品質システム委員会とコンポーネント技術委員会の2つの委員会で構成されています。
環境およびパッケージストレステスト（前提条件）
- Baking: 125C, 24H
- Moisture soak: MSL3, 30C, 60% RH, 192H
- IR reflow: 260C 3cycles
パッケージストレス
- Temp Cycle
- TC Delamination Testing
- Wire Bond Integrity
- Resistance to solder heat
- Bond shear
- Wire bond Strength
- Solder ability
- Die Shear
- Power and Temp Cycle
ESDテスト
- HBM: +/-8000V
- CDM (Charged-Device Model): +/-1000V
寿命ストレステスト（チップ）
HTGB
- Test Condition: TA=125C, VGS=5V
- Readout time: 168/500/1000H
- Sample size: 231
HTRB
- Test Condition: TA=125C, VDS=80% BVDSS
- Readout time: 168/500/1000H
- Sample size: 231
H3TRB
- Test Condition: TA=85C, R.H.=85%, VDS=100V
- Readout time: 168/500/1000H
- Sample size: 231
オプトMOSリレー車載グレード製品
38S-Q / 45S-Q / 47S-Q Series
VDE認定/ UL認定/ AEC-Q101認定
| Product Name | コンタクトフォーム | Operation LED Load Current (MAX) | Load Voltage (MAX) | Load Current (MAX) | On-Resistance (Typ) | Output Capacitance (Typ) | Off-state Leakage Current (Typ) | I/O Breakdown Voltage | Device Package | Packaging |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AB38S-Q | 1A | 3.0mA | 600V | 70mA | 40 Ohm | 47pF | 1.0uA | 1500Vrms | SOP4 | Stick/Tape |
| AC38S-Q | 2A | 3.0mA | 600V | 70mA | 40 Ohm | 47pF | 1.0uA | 1500Vrms | SOP8 | Stick/Tape |
| AB45S-Q | 1A | 3.0mA | 60V | 200mA | 3.0 Ohm | 20pF | 1.0uA | 1500Vrms | SOP4 | Stick/Tape |
| AC45S-Q | 2A | 3.0mA | 60V | 200mA | 3.0 Ohm | 20pF | 1.0uA | 1500Vrms | SOP8 | Stick/Tape |
36-T Series
| Product Name | コンタクトフォーム | Operation LED Current (Max) | Load Voltage (Max) | Load Current (Max) | On-Resistance (Typ) | Output Capacitance (Typ) | Off-State Leakage Current (Max) | I/O Breakdown Voltage | Operating Temperature | Device Package | Packaging |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AA36-T | 1A | 8.0mA | 60V | 0.5A | 0.12 Ohm | 470pF | 10uA | 3750Vrms | -40 to +125 | DIP6 | Stick |
| AA36F-T | 1A | 8.0mA | 60V | 0.5A | 0.12 Ohm | 470pF | 10uA | 3750Vrms | -40 to +125 | SMD6 | Stick/Tape |
車載向けシリコンカーバイド58シリーズ
AEC-Q101を備えた新しいSiCMOSFETリレー
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