高信頼性RF MEMSスイッチ

RF MEMS switch in small package for high RF applications
Menlo's RF MEMS switch using digital micro switch technology achieves small form factor
RF MEMS switch die on glass substrate

Menlo Microは、最小かつ最も信頼性の高いRF MEMSスイッチを開発いたしました。信頼性を損なうこと無く、より高いRFおよびハイパワーを実現しました。30億サイクルの寿命を実現し、他のMEMSスイッチを含む、従来の機械式では追随できない信頼性寿命を獲得いたしました。Menlo Micro社の技術はGE Global Researchによって生み出され、そのDNAはMenlo Microの製品にも継承されています。

高信頼性 GE-2合金採用

GE社のアプローチは、半導体企業としてではなく、高性能で数十年の経験を持つ材料工学ー合金によるMEMSの信頼性の改善に取り組みました。
その結果、Menlo Micro社は同様な材料工学手法を、RF MEMS開発に用い、小型パッケージで比類のない信頼性を実現しています。

信頼性及びホットスイッチ

RF MEMS switch life expectancy

Menlo Micro社の機械式スイッチングデバイスの寿命は、従来の機械式スイッチよりも1000倍以上長くなっています。 数百万サイクルではなく、数百億サイクルの寿命をパフォーマンス低下なしに実現いたします。

ファブ、プロセス工程

複雑さの回避、コストの削減、製品の歩留まりの向上のため、すべてのスイッチは、自動化されたウェーハレベルのプロセスとツールを使用して製造されています。 それらは非常に小さいので、10mm2未満のスペースに数百個を収めることができます。

新しい設計と処理技術を組み込んだ、非常に信頼性の高い材料セットに基づく新しいマイクロメカニカルスイッチアーキテクチャ。 10年以上の開発、40以上の特許ファミリ、材料と製造プロセス、システムアーキテクチャ、設計、テストをカバーするノウハウを持ち合わせています。


New! Smallest RF Tuning MEMS Products

MM5130 – DC to 26GHz SP4T RF MEMS switch with WLFC

MM5130デバイスは、MenloMicroが提供する高出力SP4T理想スイッチです。 Menlo Microは、新しい理想的なスイッチ製造プロセスを開発し、それをDCおよび広帯域RF /マイクロ波スイッチアプリケーションに適用しました。 この革新的なテクノロジーにより、25Wを超える順方向電力が可能な堅牢で信頼性の高いスイッチが可能になります。 MM5130は、超低挿入損失とDCから26GHzまでの優れた直線性を提供し、+85ºCで30億回を超えるスイッチングサイクルが保証されています。 MM5130は、線形性と挿入損失が重要なパラメータであるアプリケーションで、大型の高出力RF電気機械リレーやRF /マイクロ波ソリッドステートスイッチを置き換えるための理想的なソリューションです。 4つのスイッチチャネルは、対応するRF GATEピンに電圧を印加することによって個別に制御できます。

特徴

  • DC to 26GHz Frequency range (Super-port Mode)
  • 25 Watt (CW), 150W (Pulsed) Max Power Handling
  • Low On-State Insertion Loss < 1.3 dB @ 18GHz
  • High-linearity, IIP3 > 85dBm
  • Low On-State Resistance < 0.5 Ω
  • -18dB Isolation @ 18GHz
  • Maximum voltage (AC or DC): +150 Volt on RF Input
  • High Reliability > 3 Billion Switching Operations
  • 2.5mm x 2.5mm WLFC package

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RF Tuning MEMS Products

MM5120 – DC to 12GHz SP4T RF MEMS Switch with Integrated Gate Driver

MM5120は、新しいデジタルマイクロスイッチ(DMS)製造プロセスにより開発され、DCおよびRF /マイクロ波スイッチアプリケーションに適用したMenlo Micro社が提供する高出力RF MEMSスイッチです。 革新的なDMSテクノロジーにより、非常に小さなSMTパッケージにおいて25ワットを超える能力のある信頼性の高いマイクロメカニカルスイッチになります。 MM5120は、超低挿入損失とDCから12GHzまでの優れたリニア特性を提供し、+ 85°Cの高温域での30億回を超えるスイッチングサイクルが保証されています。 統合されたアナログゲートコントローラーにより、必要な高電圧ゲート信号を外部から提供するか、内部で生成するかを選択できます。 MM5120は、リニア特性と挿入損失が重要なパラメーターであるRF /マイクロ波アプリケーションにおいて、大型で信頼性の低いRF電気機械式リレー、およびソリッドステートスイッチを置き換えるための理想的なソリューションとなります。

特徴

  • DC to 12GHz Frequency Range
  • 25 Watt (CW), 150W (Pulsed) Max Power Handling
  • Low On-State Insertion Loss < 0.75 dB @ 12GHz
  • High-linearity, IIP3 > 85dBm
  • Low On-State Resistance < 0.5 Ω
  • -22dB Isolation @ 12GHz
  • Maximum voltage (AC or DC): +150 Volt on RF Input
  • High Reliability > 3 Billion Switching Operations
  • Integrated Analog Gate Control with HV Boost
  • 4mm x 4mm 28 Lead LGA Package
MM5120 RF MEMS Switch with DC to 12GHz SP4T configuration
MM5120 RF MEMS Switch Schematics

詳細お気軽にお問合せください。


MM3100 – 6 Channel SPST RF MEMS Switch

MM3100デバイスは、高出力6チャネルSPST MEMSスイッチであり、新しいデジタルマイクロスイッチ(DMS)製造プロセスによる、DCおよび広帯域RF /マイクロ波スイッチアプリケーションに最適化を実現しました。 この革新的なDMSテクノロジーは、25ワットを超える能力を持つ堅牢で信頼性の高いスイッチを実現します。 各スイッチは、オン状態の挿入損失が非常に低く、DCから3 GHz以上までのオフ状態のアイソレーションが高く、+85ºCの高温で30億回を超えるスイッチングサイクルを実現します。 各スイッチは、標準のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)同期バスによって個別に制御されます。 内部スイッチドライバーの動作には、外部+5 VDCロジック電源と高電圧+77 VDCバイアスソースが必要です。

特徴

  • DC to > 3 GHz Frequency Range
  • 25 Watt (CW), 150W (Pulsed) Max Power Handling
  • Low On-State Insertion Loss < 0.3 dB @ 3 GHz
  • Low On-State Resistance < 0.75 Ω
  • -25dB Isolation @ 3 GHz
  • Maximum voltage (AC or DC): +150 Volt on RF Input
  • < 10us On/Off Switching Time
  • High Reliability > 3 Billion Switching Operations
  • Integrated SPI Bus Gate Control
  • Hermetic 6mm x 6mm x 1.3mm BGA Package

詳細お気軽にお問合せください。

低周波数 MEMS製品

MM1200 – 6 Channel SPST MEMS Switch

MM1200デバイスは、Menlo Micro社によって開発および製造された6チャネルSPST マイクロ MEMSスイッチです。 これは、DC回路とAC回路の両方での電力および信号スイッチングアプリケーションを対象としています。 信頼性の高い革新的なDMSテクノロジーにより、チャネルごとに1.0 A通電が可能な堅牢で信頼性の高いスイッチングが実現します。 DMSテクノロジーは、+85ºCの高温で30億回を超える長寿命で、オン状態の低い接触抵抗とオフ状態の高いアイソレーションを実現しています。 各スイッチは通常オープン(NO)で、シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)バスによって個別に制御されます。 内部スイッチドライバーの動作には、外部+5 VDCロジック電源と高電圧+77 VDCバイアスソースが必要です。

特徴

  • 1.0A per channel / 3.0A Total Current
  • Maximum voltage (AC or DC): +150 Volt on RF Input
  • Low On-State Resistance < 1.0 Ω
  • 10GΩ Input to Output Isolation
  • < 10us On/Off Switching Time
  • High Reliability > 3 Billion Switching Operations
  • Integrated SPI Bus Gate Control
  • Hermetic 6mm x 6mm x 1.3mm BGA Package

詳細お気軽にお問合せください。



高電圧MEMSスイッチ製品

M7100 – High-Voltage SPST MEMS Switch

MM7100は、Menlo Microのデジタルマイクロスイッチ(DMS)製造プロセスを利用した高電圧SPST MEMSスイッチです。 革新的なDMSテクノロジーにより、小型SMTパッケージで高電圧と高電流を伝送できる、信頼性の高いマイクロメカニカルスイッチになります。 MM7100は、超低オンオン抵抗と高オフアイソレーションを実現し、+ 85℃で30億回を超えるスイッチングサイクルを保証します。 MM7100は寿命が長く、消費電流が非常に小さく、フォームファクターが小さいため、サイズ、重量、電力、熱管理が重要なパラメーターであるシステムレベルの設計に理想的なソリューションです。電気機械式リレーやピンダイオードスイッチを置き換えるための理想的なソリューションです。

特徴

  • Frequency Range: DC to 750 MHz
  • Low On-State Resistance < 0.30Ω (typ.)
  • Rated Voltage (AC or DC): 400V
  • Rated Current (AC or DC): 2A
  • Switching Time: 5 us (close or open operation)
  • High Switching Reliability: > 3 Billion Operations
  • Non-Magnetic LCC Package

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