シリコンカーバイド(SiC) MOSFET製品
シリコンカーバイド(SiC) MOSFET製品 は、EVおよびHEVアプリケーションのデファクトスタンダードになりつつあります。Bright TOWARD社は、650V / 110Aから1700V / 3.4AのTO247 SiCパワーMOSFET、650V / 12Aから52AモデルのTO220 SiCパワーMOSFETを発表しました。 注目に値する点は、SiC MOSFETテクノロジーをリレー製品ライン(オプトMOSFET)、50シリーズSiC MOSFETリレー（650V / 300mA）、51シリーズSiC MOSFETリレー（1200V / 250mA）、52シリーズSiC MOSFETリレー（1700V / 350mA）、53シリーズSiC MOSFETリレー（3300V / 300mA）に拡張しています。 これらの製品は、高負荷電流と高負荷電圧、および低く安定したオン抵抗の両方を実現します。 EVおよびHEV用のSiC MOSFETについては、AEC-Q101規格を満たし、証明中です。データシートと評価サンプルをリリース中です。詳細、お気軽にお問い合わせください。
SiC MOSFETは、従来のSi MOSFETと同じチップサイズで、より低いオン抵抗とより高い電圧を得ることができます。 SiC MOSFETはテール電流を生成せず、Si-IGBTの交換のためのターンオフ損失を低減します。 これらの優れた特性により、これらの製品はエネルギー貯蔵システム（ESS）およびバッテリー管理システム（BMS）のアプリケーションに適しています。
Opto SiC MOSFET Relay Products
Opto Silicon Carbide (SiC) MOSFET relays.
SiC（シリコンカーバイド）MOSFET製品
N-Channel Enhancement Mode
| Part Number | VDS (V) | IDS @25C (A) | RDSon (mOhms) | Package | Datasheet |
|---|---|---|---|---|---|
| TSC065F020 | 650 | 110 | 20 | TO247 | |
| TSC065F050 | 650 | 52 | 50 | TO247 | |
| TSC065F100 | 650 | 25 | 100 | TO247 | |
| TSC065F200 | 650 | 12 | 200 | TO247 | |
| TSC120F030 | 1200 | 80 | 30 | TO247 | |
| TSC120F060 | 1200 | 41 | 60 | TO247 | |
| TSC120F120 | 1200 | 20 | 120 | TO247 | |
| TSC120F240 | 1200 | 10 | 240 | TO247 | |
| TSC170F045 | 1700 | 58 | 45 | TO247 | |
| TSC170F1K0 | 1700 | 3.4 | 1000 | TO247 | |
| TSC065B050 | 650 | 52 | 50 | TO220 | |
| TSC065B100 | 650 | 25 | 100 | TO220 | ASK |
| TSC065B200 | 650 | 12 | 200 | TO220 | ASK |
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